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    BC848B 参数 Datasheet PDF下载

    BC848B图片预览
    型号： BC848B
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    内容描述： 30 V ， 100毫安NPN通用晶体管 [30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 125 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC848B的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    BC848系列
    30 V ， 100毫安NPN通用晶体管
    7.特点
    表8 。
    特征
    T
    AMB
    = 25
    °
    C除非另有规定ED 。
    符号参数
    I
    CBO
    条件
    民
    -
    -
    -
    -
    200
    110
    -
    [1]
    [2]
    [2]
    [3]
    [3]
    典型值
    -
    -
    -
    150
    290
    -
    90
    200
    700
    900
    660
    -
    -
    2.5
    2
    最大
    15
    5
    100
    -
    450
    800
    250
    600
    -
    -
    700
    770
    -
    3
    10
    单位
    nA
    μA
    nA
    集电极 - 基极截止V
    CB
    = 30 V ;我
    E
    = 0 A
    当前
    V
    CB
    = 30 V ;我
    E
    = 0 A;
    T
    j
    = 150
    °C
    发射极 - 基极截止
    当前
    直流电流增益
    V
    EB
    = 5 V ;我
    E
    = 0 A
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 10
    μA
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 2毫安
    BC848B
    BC848W
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    V
    BE
    f
    T
    C
    c
    NF
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    I
    C
    = 10毫安;我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安;我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 10毫安;我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安;我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 2毫安; V
    CE
    = 5 V
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 5 V
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 10毫安;
    F = 100 MHz的
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    兆赫
    pF
    dB
    -
    -
    -
    580
    -
    100
    -
    -
    集电极电容V
    CB
    = 10 V ;我
    E
    = i
    e
    = 0 A;
    F = 1 MHz的
    噪声系数
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 200
    μA;
    R
    S
    = 2 k ; F = 1千赫
    B = 200赫兹
    [1]
    [2]
    [3]
    脉冲测试：吨
    p
    ≤
    300
    μs; δ ≤
    0.02.
    V
    BESAT
    减小了大约1.7毫伏/ K随温度的升高。
    V
    BE
    大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
    BC848_SER_7
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师07 - 2009年11月17日
    4 12

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