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    BC847 参数 Datasheet PDF下载

    BC847图片预览
    型号： BC847
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    内容描述： 45 V ， 100毫安NPN通用晶体管 [45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 85 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC847的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    BC847 / BC547系列
    45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
    7.特点
    表8：
    特征
    T
    AMB
    = 25
    °
    C除非另有规定ED 。
    符号参数
    I
    CBO
    条件
    民
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    最大
    15
    5
    100
    单位
    nA
    µA
    nA
    集电极 - 基极截止V
    CB
    = 30 V ;我
    E
    = 0 A
    当前
    V
    CB
    = 30 V ;我
    E
    = 0 A;
    T
    j
    = 150
    °C
    发射极 - 基极截止
    当前
    直流电流增益
    h
    FE
    A组
    h
    FE
    B组
    h
    FE
    C组
    直流电流增益
    h
    FE
    A组
    h
    FE
    B组
    h
    FE
    C组
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    V
    BE
    C
    c
    C
    e
    f
    T
    F
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射极电压
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 10
    µA
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 10
    µA
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 10
    µA
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 2毫安
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 2毫安
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 2毫安
    V
    CE
    = 5 V ;我
    C
    = 2毫安
    I
    C
    = 10毫安;我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安;我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 10毫安;我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安;我
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 2毫安; V
    CE
    = 5 V
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 5 V
    集电极电容我
    E
    = i
    e
    = 0 ; V
    CB
    = 10 V;
    F = 1 MHz的
    发射极电容
    跃迁频率
    噪音科幻gure
    I
    C
    = i
    c
    = 0 ; V
    EB
    = 0.5 V;
    F = 1 MHz的
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 5 V;
    F = 100 MHz的
    I
    C
    = 200
    µA;
    V
    CE
    = 5 V;
    R
    S
    = 2 k ; F = 1千赫
    B = 200赫兹
    [1]
    [2]
    [2]
    [2]
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    EB
    = 5 V ;我
    E
    = 0 A
    -
    -
    -
    110
    110
    200
    420
    -
    -
    -
    -
    580
    -
    -
    -
    100
    -
    90
    150
    270
    -
    180
    290
    520
    90
    200
    700
    900
    660
    -
    -
    11
    -
    2
    -
    -
    -
    800
    220
    450
    800
    200
    400
    -
    -
    700
    770
    1.5
    -
    -
    10
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    pF
    pF
    兆赫
    dB
    [1]
    [2]
    脉冲测试：吨
    p
    ≤
    300
    µs; δ ≤
    0.02.
    V
    BE
    大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
    9397 750 14609
    ©皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
    产品数据表
    牧师06 - 2005年5月19日
    5 13

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