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    BC817 参数 Datasheet PDF下载

    BC817图片预览
    型号： BC817
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    内容描述： 45 V ， 500毫安NPN通用晶体管 [45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 19 页 / 237 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    BC817 ; BC817W ; BC337
    45 V ， 500毫安NPN通用晶体管
    7.特点
    表8 。
    特征
    T
    AMB
    = 25
    °
    C除非另有规定ED 。
    符号
    I
    CBO
    参数
    集电极 - 基极截止电流
    条件
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20 V
    I
    E
    = 0 ; V
    CB
    = 20 V;
    T
    j
    = 150
    °C
    I
    EBO
    h
    FE
    发射极 - 基极截止电流
    直流电流增益
    BC817 ; BC817W ; BC337
    BC817-16 ; BC817-16W ;
    BC337-16
    BC817-25 ; BC817-25W ;
    BC337-25
    BC817-40 ; BC817-40W ;
    BC337-40
    h
    FE
    V
    CESAT
    V
    BE
    C
    c
    f
    T
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极电压
    集电极电容
    跃迁频率
    脉冲测试：吨
    p
    ≤
    300
    μs; δ ≤
    0.02.
    V
    BE
    大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
    民
    -
    -
    -
    [1]
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    最大
    100
    5
    100
    600
    250
    400
    600
    -
    700
    1.2
    -
    -
    单位
    nA
    μA
    nA
    I
    C
    = 0 ; V
    EB
    = 5 V
    I
    C
    = 100毫安; V
    CE
    = 1 V
    100
    100
    160
    250
    I
    C
    = 500毫安; V
    CE
    = 1 V
    I
    C
    = 500毫安;我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安; V
    CE
    = 1 V
    I
    E
    = i
    e
    = 0 ; V
    CB
    = 10 V;
    F = 1 MHz的
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 5 V;
    F = 100 MHz的
    [1]
    [1]
    40
    -
    -
    -
    100
    mV
    V
    pF
    兆赫
    [2]
    [1]
    [2]
    BC817_BC817W_BC337_6
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师06 - 2009年11月17日
    5 19

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