恩智浦半导体
74LVC245A ; 74LVCH245A
八路总线收发器;三态
表7中。
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
图7 。
符号参数
C
PD
动力
耗散
电容
条件
每个缓冲区; V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.3 V
−40 °C
+85
°C
民
-
典型值
[2]
15
最大
-
−40 °C
+125
°C
单位
民
-
最大
-
pF
[1]
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
en
是相同为T
PZL
和T
PZH
.
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
.
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
和V
CC
= 3.3 V.
在相同的方向相同的包交换的任何两个输出间偏差。此参数为设计保证。
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; ˚F
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在电压=电源电压
N =输入数字开关
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
[2]
[3]
[4]
[5]
11. AC波形
V
I
一，BN输入
GND
t
PLH
V
OH
Bn的，输出
V
OL
V
M
V
M
mna176
V
M
V
M
t
PHL
SEE
为测量点
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压电平。
图5 。
输入（一个， BN）到输出（BN ，一种）传播延迟和输出转换时间
74LVC_LVCH245A_5
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产品数据表
牧师05 - 2009年8月25日
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PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
