飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入，串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
特点
•
8位串行输入
•
8位串行或并行输出
•
存储寄存器具有三态输出
•
移位寄存器直接明确
•
100兆赫（典型值）移频出
•
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
应用
•
串行到并行的数据转换
•
遥控器保持寄存器。
描述
74HC595 ; 74HCT595
该74HC / HCT595是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT595是一个8级串行移位寄存器用
存储寄存器和三态输出。移位寄存器和
存储寄存器有独立的时钟。
数据被移上的正跳变
SH_CP输入。在每个寄存器中的数据传送到
上的一个正向跃迁的存储寄存器
ST_CP输入。如果两个时钟被连接在一起，所述
移位寄存器将总是超前于一个时钟脉冲
存储寄存器。
移位寄存器有一个串行输入（ DS）和一个串行
标准输出（ Q7 '）进行级联。它也提供
与异步复位（低电平有效）的所有8位移
注册阶段。存储寄存器有8位并行三态
总线驱动器输出。在存储寄存器数据出现在
每当输出使能输入输出（OE）为LOW 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
SH_CP到Q7 “
SH_CP至Qn
MR到Q7 “
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC595的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT595的条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V.
2003年6月25
2
最大时钟频率SH_CP和ST_CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
74HC
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
19
20
100
100
3.5
115
25
24
52
57
3.5
130
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
74HCT
单位
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
