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    74HC595 参数 Datasheet PDF下载

    74HC595图片预览
    型号： 74HC595
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;三态 [8-bit serial-in/serial or parallel-out shift register with output latches; 3-state]
    分类和应用： 移位寄存器锁存器
    文件页数/大小： 28 页 / 141 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第4页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第5页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第6页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第7页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第9页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第10页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第11页浏览型号74HC595的Datasheet PDF文件第12页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    8位串行输入，串行或并行输出移位
    寄存器输出锁存器;三态
    推荐工作条件
    74HC
    符号
    V
    CC
    V
    I
    V
    O
    T
    AMB
    t
    r
    , t
    f
    参数
    电源电压
    输入电压
    输出电压
    环境温度
    输入上升和下降时间
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 6.0 V
    条件
    分钟。
    2.0
    0
    0
    −40
    −
    −
    −
    典型值。
    5.0
    −
    −
    −
    −
    6.0
    −
    马克斯。
    6.0
    V
    CC
    V
    CC
    +125
    1000
    500
    400
    74HC595 ; 74HCT595
    74HCT
    单位
    分钟。
    4.5
    0
    0
    −40
    −
    −
    −
    典型值。
    5.0
    −
    −
    −
    −
    6.0
    −
    马克斯。
    5.5
    V
    CC
    V
    CC
    +125
    −
    500
    −
    V
    V
    V
    °C
    ns
    ns
    ns
    限定值
    按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
    符号
    V
    CC
    I
    IK
    I
    OK
    I
    O
    参数
    电源电压
    输入二极管电流
    输出二极管电流
    输出源或灌电流
    V
    I
    ＆ LT ;
    −0.5
    V到V
    I
    ＆ GT ; V
    CC
    + 0.5 V
    V
    O
    ＆ LT ;
    −0.5
    V到V
    O
    ＆ GT ; V
    CC
    + 0.5 V
    V
    O
    =
    −0.5
    V到V
    CC
    + 0.5 V
    Q7的标准输出
    QN总线驱动器输出
    I
    CC
    , I
    GND
    T
    英镑
    P
    合计
    记
    1.对于DIP16封装： 70以上
    °C
    为12毫瓦/ K的线性降额。
    对于SO16封装： 70以上
    °C
    8毫瓦/ K线性降额。
    对于SSOP16封装： 60岁以上
    °C
    5.5毫瓦/ K线性降额。
    对于TSSOP16封装： 60岁以上
    °C
    5.5毫瓦/ K线性降额。
    对于DHVQFN16包： 60岁以上
    °C
    4.5毫瓦/ K线性降额。
    V
    CC
    或GND电流
    储存温度
    功耗
    T
    AMB
    =
    −40
    +125
    °C;
    注1
    −
    −
    −
    −65
    −
    ±25
    ±35
    ±70
    +150
    500
    mA
    mA
    mA
    °C
    mW
    条件
    分钟。
    −0.5
    −
    −
    马克斯。
    +7.0
    ±20
    ±20
    单位
    V
    mA
    mA
    2003年6月25
    8

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