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74HC259D 参数 Datasheet PDF下载

74HC259D图片预览
型号: 74HC259D
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内容描述: 8位可寻址锁存器 [8-bit addressable latch]
分类和应用: 触发器锁存器逻辑集成电路光电二极管PC
文件页数/大小: 21 页 / 127 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
表8 。
动态特性
- 续
电压参考GND(地= 0V) ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
h
保持时间
条件
D钮LE ;看
V
CC
= 4.5 V
一个埃镑;看
V
CC
= 4.5 V
C
PD
动力
耗散
电容
f
i
= 1 MHz的;
V
I
= GND到V
CC
1.5 V
25
°C
典型值
[1]
最大
−40 °C
+85
°C −40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
0
−8
-
0
-
0
-
ns
0
-
−4
19
-
-
0
-
-
-
0
-
-
-
ns
pF
[1]
[2]
[3]
[4]
典型值是在标称电源电压测量(V
CC
= 3.3 V和V
CC
= 5.0 V).
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
11.波形
V
CC
D输入
GND
t
PHL
V
OH
QN输出
V
OL
V
M
001aah123
V
M
t
PLH
在测量点中给出
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图6 。
数据输入到输出的传播延迟
74HC_HCT259_4
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产品数据表
牧师04 - 2009年2月25日
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