恩智浦半导体
74HC165 ; 74HCT165
8位并行输入/串行输出移位寄存器
表7中。
动态特性
- 续
GND(地= 0V) ; ç
L
= 50 pF的,除非另有规定ED ;对于测试电路中,看到
图12
符号参数
C
PD
动力
耗散
电容
条件
民
每包;
V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V
25
°C
TYP MAX
35
-
-
−40 °C
+85
°C −40 °C
+125
°C
单位
民
-
最大
-
民
-
最大
-
pF
[1]
[2]
[3]
t
pd
是相同为T
PHL
和T
PLH
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在五=电源电压
12.波形
1/f
最大
V
I
CP或CE输入
GND
t
W
t
PHL
V
OH
Q7或者Q7输出
V
OL
t
THL
t
TLH
mna987
V
M
t
PLH
V
M
在测量点中给出
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图7 。
时钟(CP)或时钟使能(CE )到输出(Q7或Q7),传播延迟,该时钟脉冲宽度,则
最大时钟频率和输出转变时间
74HC_HCT165_3
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牧师03 - 2008年3月14日
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