恩智浦半导体
74HC164 ; 74HCT164
8位串行输入，并行输出移位寄存器
表4 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
P
合计
参数
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
条件
民
-
-
最大
750
500
单位
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
74HC164
民
2.0
0
0
−40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
74HCT164
民
4.5
0
0
−40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
74HC164
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
条件
民
25
°C
典型值
最大
−40 °C
+85
°C −40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
74HC_HCT164_4
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牧师04 - 2010年2月2日
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