恩智浦半导体
1PS66SB82 ; 1PS88SB82
15 V , 30毫安低C
d
肖特基势垒二极管
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT363
[1]
条件
在自由空气
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
700
416
K / W
K / W
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,相反的
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
我
F( AV )
评级将根据要求提供。
请参考SOT666标准安装条件。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOT363 ( SC -88 )标准安装条件。
[2]
[3]
[4]
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
SEE
I
F
= 1毫安
I
F
= 30毫安
I
R
r
DIF
C
d
[1]
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
12
1
最大
340
700
0.2
-
-
单位
mV
mV
μA
Ω
pF
反向电流
迪FF erential
阻力
二极管
电容
V
R
= 1V ;看
I
F
= 5毫安; F = 1千赫
SEE
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
脉冲测试:吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
1PS66SB82_1PS88SB82_4
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产品数据表
版本04 - 2010年1月13日
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