NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN switching transistor
MMBT3904
handbook, halfpage
500
MGU821
MGU822
handbook, halfpage
250
h FE
400
(1)
IC
(mA)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) (6)
(7)
200
300
150
(8)
(2)
(9)
200
100
(10)
(3)
100
50
0
10
−1
1
10
10
2
I C (mA)
10
3
0
0
T
amb
= 25
°C.
2
4
6
8
10
VCE (V)
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= 150
°C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
=
−55 °C.
(1)
(2)
(3)
(4)
I
B
= 5 mA.
I
B
= 4.5 mA.
I
B
= 4 mA.
I
B
= 3.5 mA.
(5) I
B
= 3 mA.
(6) I
B
= 2.5 mA.
(7) I
B
= 2 mA.
(8) I
B
= 1.5 mA.
(9) I
B
= 1 mA.
(10) I
B
= 0.5 mA.
Fig.3
Fig.2 DC current gain; typical values.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage.
handbook, halfpage
1200
MGU823
MGU824
VBE
handbook, halfpage
1200
VBEsat
(mV)
(mV)
1000
(1)
1000
(1)
(2)
800
(2)
800
600
600
(3)
(3)
400
400
200
10
−1
1
10
10
2
I C (mA)
10
3
200
10
−1
1
10
10
2
I C (mA)
10
3
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
=
−55 °C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
= 150
°C.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
−55 °C.
(2) T
amb
= 25
°C.
(3) T
amb
= 150
°C.
Fig.4
Base-emitter voltage as a function of
collector current.
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
2004 Feb 03
5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
