NXP Semiconductors
BC848 series
30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
600
h
FE
500
(1)
mgt727
1200
V
BE
(mV)
1000
(1)
mgt728
400
(2)
800
(2)
300
600
(3)
200
(3)
400
100
200
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
10
−2
10
−1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 1.
BC848B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
10
4
mgt729
Fig 2.
BC848B: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
mgt730
1200
V
BEsat
(mV)
1000
(1)
V
CEsat
(mV)
10
3
800
(2)
600
(3)
10
2
(1)
(3) (2)
400
200
10
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 3.
BC848B: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 4.
BC848B: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
BC848_SER_7
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 17 November 2009
5 of 12
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
