06035J6R8BBS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	06035J6R8BBS
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内容描述：	[RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier]
分类和应用：
文件页数/大小：	19 页 / 904 K
品牌：	NXP [ NXP ]

TYPICAL CHARACTERISTICS

2nd Stage

1st Stage

110

130

150

170

190

210

230

250

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

This above graph displays calculated MTTF in hours when the device

is operated at V = 28 Vdc and P = 23 dBm.

out

MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/

Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu−

lators by product.

Figure 10. MTTF versus Junction Temperature

MHV5IC2215NR2

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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