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M25P80-VMW6TG 参数 Datasheet PDF下载

M25P80-VMW6TG图片预览
型号: M25P80-VMW6TG
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内容描述: 8兆位,低电压,串行闪存与75 MHz的SPI总线接口 [8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 52 页 / 995 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25P80
6.11
深度掉电( DP )
执行深度掉电( DP )指令是把设备的唯一途径
最低功耗模式(深度掉电模式) 。它也可以用来作为一个额外的
软件保护机制,而该设备在处于非活动应用,因为在此模式下,
设备将忽略所有写,编程和擦除指令。
驱动芯片选择(S )高取消选择该设备,并将该设备在待机模式
(如果当前没有进行中的内部循环)。但是,这种模式是不深电源 -
关断模式。在深度掉电模式只能通过执行深层进入
掉电(DP)的指令,以降低待机电流(从我
CC1
到我
CC2
所指定
in
一旦设备已经进入深度掉电模式下,所有的指令都将被忽略
除了从深度掉电和阅读电子签名的版本( RES )
指令。这将释放由这个模式的设备。从深度掉电发布
和阅读电子签名( RES )指令也允许的电子签名
设备是在串行数据输出( Q)的输出。
掉电深模式会自动停在断电和设备始终
权力,在待机模式。
深掉电( DP )指令是由驱动芯片选择(S )低输入,然后
通过串行数据输入( D)的指令代码。芯片选择(S )必须驱动为低
该序列的整个持续时间。
该指令序列示于
芯片选择( S)必须驱动为高电平后的指令代码第八位已
锁存,否则不执行深度掉电( DP )指令。立刻
芯片选择( S)被驱动为高电平,它需要吨的延迟
DP
电源电流减小前
到我
CC2
和深度掉电模式进入。
任何深度掉电( DP )的指令,而擦除,编程或写周期
进步,被拒绝,而不必在周期过程中的任何影响。
图17.深度掉电( DP )指令序列
S
0
C
指令
D
1
2
3
4
5
6
7
t
DP
待机模式
深度掉电模式
AI03753D
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