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M25P40-VMN6TPB 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TPB图片预览
型号: M25P40-VMN6TPB
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内容描述: [Flash, 512KX8, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 53 页 / 1017 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25P40
6.11
深度掉电( DP )
执行深度掉电( DP )指令是把设备的唯一途径
最低功耗模式(深度掉电模式) 。它也可以用来作为一个额外的
软件保护机制,而该设备在处于非活动应用,因为在此模式下,
设备将忽略所有写,编程和擦除指令。
驱动芯片选择(S )高取消选择该设备,并将该设备的备用电源
模式(如果有当前正在进行的内部没有循环)。但这种​​方式不是深
掉电模式。在深度掉电模式只能通过执行输入
深度掉电( DP )的指令,随后降低待机电流(由我
CC1
to
I
CC2
,如在规定的
一旦设备已经进入深度掉电模式下,所有的指令都将被忽略
除了从深度掉电和阅读电子签名的版本( RES )
指令。这将释放由这个模式的设备。从深度掉电发布
和阅读电子签名( RES )指令和读取识别( RDID )
指令还允许设备的电子签名是串行数据输出
输出(Q) 。
掉电深模式会自动停在断电和设备始终
权力,在备用电源模式。
深掉电( DP )指令是由驱动芯片选择(S )低输入,然后
通过串行数据输入( D)的指令代码。芯片选择(S )必须驱动为低
该序列的整个持续时间。
该指令序列示于
芯片选择( S)必须驱动为高电平后的指令代码第八位已
锁存,否则不执行深度掉电( DP )指令。立刻
芯片选择( S)被驱动为高电平,它需要吨的延迟
DP
电源电流减小前
到我
CC2
和深度掉电模式进入。
任何深度掉电( DP )的指令,而擦除,编程或写周期
进步,被拒绝,而不必在周期过程中的任何影响。
图17.深度掉电( DP )指令序列
S
0
C
指令
D
1
2
3
4
5
6
7
t
DP
待机模式
深度掉电模式
AI03753D
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