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M29W800DT45ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT45ZE6E图片预览
型号: M29W800DT45ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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Block protection  
M29W800DT, M29W800DB  
Figure 21. In-system equipment chip unprotect flowchart  
START  
PROTECT ALL BLOCKS  
n = 0  
CURRENT BLOCK = 0  
RP = V  
ID  
WRITE 60h  
ANY ADDRESS WITH  
A0 = V , A1 = V , A6 = V  
IL  
IH  
IH  
IH  
WRITE 60h  
ANY ADDRESS WITH  
A0 = V , A1 = V , A6 = V  
IL  
IH  
Wait 10ms  
WRITE 40h  
ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS  
A0 = V , A1 = V , A6 = V  
IL  
IH  
IH  
Wait 4µs  
INCREMENT  
CURRENT BLOCK  
READ DATA  
ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS  
A0 = V , A1 = V , A6 = V  
IL  
IH  
IH  
DATA  
NO  
YES  
=
00h  
++n  
= 1000  
NO  
NO  
LAST  
BLOCK  
YES  
RP = V  
YES  
RP = V  
IH  
IH  
ISSUE READ/RESET  
COMMAND  
ISSUE READ/RESET  
COMMAND  
PASS  
FAIL  
AI03472  
50/52