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M29W400DT70ZA1 参数 Datasheet PDF下载

M29W400DT70ZA1图片预览
型号: M29W400DT70ZA1
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内容描述: 4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 48 页 / 1025 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W400DT, M29W400DB  
DC and AC parameters  
Table 12. Read AC characteristics  
M29W400D  
Unit  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test condition  
45  
55  
70  
E = VIL,  
G = VIL  
tAVAV  
tAVQV  
tRC  
Address Valid to Next Address Valid  
Address Valid to Output Valid  
Min  
45  
55  
70  
ns  
ns  
E = VIL,  
G = VIL  
tACC  
Max  
45  
55  
70  
(1)  
tELQX  
tLZ  
Chip Enable Low to Output Transition  
Chip Enable Low to Output Valid  
G = VIL  
G = VIL  
Min  
0
0
0
ns  
ns  
tELQV  
tCE  
Max  
45  
55  
70  
Output Enable Low to Output  
Transition  
(1)  
tGLQX  
tOLZ  
E = VIL  
Min  
0
0
0
ns  
tGLQV  
tOE  
tHZ  
tDF  
Output Enable Low to Output Valid  
Chip Enable High to Output Hi-Z  
Output Enable High to Output Hi-Z  
E = VIL  
G = VIL  
E = VIL  
Max  
Max  
Max  
25  
20  
20  
30  
25  
25  
35  
30  
30  
ns  
ns  
ns  
(1)  
tEHQZ  
(1)  
tGHQZ  
tEHQX  
tGHQX  
Chip Enable, Output Enable or  
Address Transition to Output Transition  
tOH  
Min  
0
5
0
5
0
5
ns  
ns  
tAXQX  
tELBL  
tELBH  
tBLQZ  
tBHQV  
tELFL  
tELFH  
Chip Enable to BYTE Low or High  
BYTE Low to Output Hi-Z  
Max  
tFLQZ  
Max  
Max  
25  
30  
25  
30  
30  
40  
ns  
ns  
tFHQV BYTE High to Output Valid  
1. Sampled only, not 100% tested.  
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