LP2985
电气特性
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
输出噪声
电压（有效值）
纹波抑制
条件
BW = 300 Hz到50 kHz时，
C
OUT
= 10 µF
C
绕行
- 10 nF的
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 µF
45
dB
30
µV
典型值
民
最大
LP2985I-X.X
民
最大
单位
e
n
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装和micro SMD封装为220℃ / W是225℃ / W 。超过最大
允许功耗会导致芯片温度过高，而监管机构将进入热关断。
注4 ：
对于12V的选项，输出电压的生存： -0.3〜 + 16V 。如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源时， LP2985双电源系统中使用的
输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压下降100mV的下面，一个1V的差分测量的值。
注8 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注9 ：
该LP2985具有折返式电流限制，允许较高的峰值电流，当V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
is
被迫地（见典型性能特性曲线） 。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
注11 ：
对于12V的选择，加50 μA所有ON状态下的静态电流值。
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
