LM320L/LM79LXXAC
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压
V
O
= −5V, −12V, −15V
内部功率耗散（注2 ）
−35V
内部限制
工作温度范围
最高结温
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 10秒）
0 ° C至+ 70°C
+125˚C
-55 ° C至+ 150°C
260˚C
电气特性
T
A
= 0°C到+ 70°C ，除非另有说明。
输出电压
输入电压（除非另有说明）
符号
V
O
参数
产量
电压
条件
T
J
= 25 ° C，I
O
= 100毫安
1mA
≤
I
O
≤
100mA
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
1mA
≤
I
O
≤
40mA
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
∆V
O
LINE
规
T
J
= 25 ° C，I
O
= 100毫安
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
T
J
= 25 ° C，I
O
= 40毫安
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
∆V
O
负载
规
长期
稳定性
静
当前
静
当前
变化
T
J
= 25˚C
1mA
≤
I
O
≤
100mA
∆V
O
I
Q
∆I
Q
I
O
= 100毫安
I
O
= 100毫安
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
I
O
= 100毫安
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
V
n
输出噪声牛逼
J
= 25 ° C，I
O
= 100毫安
电压
F =为10Hz - 10kHz的
纹波
拒绝
T
J
= 25 ° C，I
O
= 100毫安
F = 120Hz的
−7.3
−7.0
−14.6
−14.5
−17.7
−17.5
V
V
I
O
= 40毫安
50
52
50
dB
20
2
6
0.3
0.1
0.25
(−20
≤
V
IN
≤
−7.5)
40
48
2
6
0.3
0.1
0.25
(−27
≤
V
IN
≤
−14.8)
96
60
2
6
0.3
0.1
0.25
(−30
≤
V
IN
≤
−18)
120
mA
mA
V
µV
毫伏/ khrs
mA
民
−5.2
−5.25
−5.25
−5V
−10V
典型值
−5
最大
−4.8
−4.75
−4.75
60
(−20
≤
V
IN
≤
−7.3)
60
(−20
≤
V
IN
≤
−7)
50
民
−12.5
−12.6
−12.6
−12V
−17V
典型值
−12
最大
−11.5
−11.4
−11.4
45
(−27
≤
V
IN
≤
−14.6)
45
(−27
≤
V
IN
≤
−14.5)
100
民
−15.6
−15.75
−15.75
−15V
−20V
典型值
−15
最大
−14.4
−14.25
V
−14.25
45
(−30
≤
V
IN
≤
−17.7)
45
(−30
≤
V
IN
≤
−17.5)
125
mV
V
mV
V
mV
单位
(−20
≤
V
IN
≤
−7.5)
(−20
≤
V
IN
≤
−7)
(−27
≤
V
IN
≤
−14.8)
(−27
≤
V
IN
≤
−14.5)
(−30
≤
V
IN
≤
−18)
(−30
≤
V
IN
≤
−17.5)
输入电压牛逼
J
= 25 ° C，I
O
= 100毫安
需要
保持线
规
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
ž封装的热阻为60℃ / W
θ
JC
， 232C / W
θ
JA
在静止空气中，并在400英尺88℃ / W /空气分该男包
θ
JA
为180℃ / W在静止空气中。该
最高结温不得对电气参数超过125℃ 。
注3 ：
为确保结温恒定，低占空比脉冲测试使用。
3
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
