LM3886
电气特性
（注5,6）
+
−
（续）
以下规格适用于V = + 28V ，V = -28V ，我
MUTE（静音）
= -0.5 mA的有R
L
= 4Ω ，除非另有规定。范围
申请对于T
A
= 25˚C.
LM3886
参数
共模抑制比
开环电压增益
增益带宽积
条件
V
+
= 60V至20V ，V
−
= -20V到-60V ，
V
CM
= 20V至-20V ，我
o
= 0毫安
|V
+
| = |V
−
| = 28V ，R
L
= 2 kΩ,
∆V
O
= 40V
|V
+
| = |V
−
| = 30V
f
O
= 100千赫，V
IN
= 50毫伏有效值
IHF - 加权滤波器
R
IN
= 600Ω （输入参考）
P
O
= 1W ， A加权，
测在1 kHz ，R
S
= 25Ω
P
O
= 60W ， A加权，
测在1 kHz ，R
S
= 25Ω
典型
极限
110
115
8
2.0
92.5
110
0.004
0.009
85
90
2
10
单位
（限量）
分贝（分钟）
分贝（分钟）
兆赫（分钟）
μV （最大值）
dB
dB
%
符号
CMRR
A
VOL
增益带宽积
e
IN
SNR
信噪比
IMD
互调失真测试
60赫兹， 7千赫，4： 1 （SMPTE）
60赫兹， 7千赫， 1： 1 （SMPTE）
注2 ：
操作保证高达84V ，但是，失真可以从引进
穗
如果不采取适当的散热考虑保护电路
考虑。参阅
散热注意事项
部分获取更多信息。 （见
穗
保护响应）
注3 ：
直流电气试验;参考测试电路＃ 1 。
注4 ：
AC电气试验;参考测试电路＃ 2 。
注5 ：
所有电压都相对于GND引脚（引脚7 ）进行测定，除非另有规定。
注6 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出，然而，典型的值是设备性能的良好指示。
注7 ：
对于在外壳温度25℃以上时，该器件必须以150℃的最高结温与热阻降额
of
θ
JC
= 1.0 ℃/ W（结到外壳） 。请参考热阻图下散热考虑应用信息部分。
注8 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注9 ：
工作结温最高为150℃ ，然而，瞬时安全工作区的温度是250℃。
注10 ：
标准被定在25℃下测得的参数标准。
注11 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注12 ：
该LM3886T包TA11B是一种非隔离的包装，设置该设备的标签，并在V散热器
−
当LM3886是直接潜力
安装到散热器仅使用热的化合物。如果一个云母垫片被用在除热化合物，
θ
CS
（情况下沉）增加，但是散热片
将从V隔离
−
.
注13 ：
反馈补偿网络限制了闭环响应的带宽等的压摆率将由于减少到高频
滚降。如果没有反馈补偿，压摆率一般较大。
注14 ：
V
−
必须至少有-9V在其引脚与参考接地，以使欠电压保护电路被禁用。
注15 ：
输出压差电压为电源电压减去限幅电压。请参阅裁剪电压与电源电压曲线图中
典型
性能特点
部分。
注16 ：
差分输入电压绝对最大额定值是基于V的电源电压
+
= + 40V和V
−
= −40V.
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
