绝对最大额定值
LM319A/319
（注8）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注9 ）
功率耗散（注10 ）
输出短路持续时间
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
500毫瓦
10秒
800V
存储温度范围
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260˚C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
260˚C
小外形封装
气相（ 60秒）
215˚C
红外（15秒）。
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM319A ， LM319
0 ° C至70℃
电气特性
（注11 ）
参数
输入失调电压（注12 ）
输入失调电流（注12 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注13 ）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注12 ）
输入失调电流（注12 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ，V = 5V ，V = 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
+
−
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25 ° C（注14 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-10 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25˚C
V
IN
≥
为10 mV ，V
OUT
= 35V,
V
− = V
GND = 0V ，T
A
= 25˚C
R
S
≤
5k
20
LM319A
典型值
0.5
20
150
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1000
最大
1.0
40
500
8
民
LM319
典型值
2.0
80
250
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1200
最大
8.0
200
1000
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
µA
mV
nA
nA
V
3
V
V
V
mA
12.5
5
mA
mA
0.4
V
S
=
±
15V
V
+
= 5V, V
−
= 0
V
+
≥
4.5V, V
−
= 0
V
IN
≤
-10 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
±
13
1
0.3
3
0.4
1
±
13
0.3
±
5
4.3
8
3
12.5
5
4.3
8
3
±
5
注9 ：
对于电源电压低于
±
15绝对最大输入电压等于电源电压。
注10 ：
该LM319A和LM319的最高结温为85℃。对于在升高的温度下操作，在H10包装设备必须被去
基于160˚C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻评级。在N14和J14封装的热阻为100℃/ W，
结到环境。 M14的封装的热阻为115℃ / W，结点到环境温度。
注11 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和0°C
≤
T
A
≤
70°C ，除非另有说明。偏置电压，偏置电流和偏置电流的规格
最多申请单5V电源的任何电源电压
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注12 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注13 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注14 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
