绝对最大额定值
（注8）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注2 ）
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
功率耗散（注3 ）
输出短路持续时间
存储温度范围
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
800V
500毫瓦
10秒
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260˚C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
260˚C
小外形封装
气相（60秒）
215˚C
红外（15秒）
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM119
LM219
-55 ° C至125°C
-25℃至85℃
电气特性
（注4 ）
参数
输入失调电压（注5 ）
输入失调电流（注5 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注6）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注5 ）
输入失调电流（注5 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
V
S
=
±
15V
V
+
= 5V, V
−
= 0
V
+
≥
4.5V, V
−
= 0
V
IN
≤
-6 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
T
A
≥
0˚C
T
A
≤
0˚C
输出漏电流
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
−
= 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
4.3
8
3
11.5
4.5
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V,
V
−
= V
GND
= 0V
1
0.23
0.4
0.6
10
V
V
µA
V
mA
mA
mA
−12
1
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25 （注7 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-5 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25˚C
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V
T
A
= 25˚C
R
S
≤
5k
10
LM119/LM219
典型值
0.7
30
150
40
80
0.75
0.2
1.5
2
7
100
1000
最大
4.0
75
500
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
µA
mV
nA
nA
V
V
单位
±
13
+12
3
±
5
注2 ：
对于电源电压低于
±
15V的绝对最大输入电压等于电源电压。
注3 ：
该LM119的最高结温为150℃，而在LM219的为110℃ 。在H10运行在升高的温度下，设备
包必须基于160˚C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻降额。该J14和N14的热阻
套餐为100℃ / W ，结到环境。
注4 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和接地引脚在地面上，和-55
≤
T
A
≤
+ 125℃ ，除非另有说明。与LM219 ，然而，所有
温度规范限制在-25℃
≤
T
A
≤
+ 85℃。失调电压，失调电流和偏置电流参数适用于从任何电源电压
单5V供电最高达
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注5 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注6 ：
指定（见定义）的反应时间为5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注7 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
注8 ：
请参阅RETS119X为LM119H / 883和LM119J / 883规格。
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
