LM118/LM218/LM318
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
功率耗散（注2 ）
差动输入电流（注3）
输入电压（注4 ）
输出短路持续时间
工作温度范围
LM118
LM218
LM318
存储温度范围
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒）
气密封装
塑料包装
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215˚C
220˚C
260˚C
300˚C
260˚C
±
20V
500毫瓦
±
10毫安
±
15V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
ESD容差（注8）
2000V
电气特性
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
电源电流
大信号电压增益
压摆率
小信号带宽
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
电源电流
大信号电压增益
输出电压摆幅
输入电压范围
共模抑制比
电源电压抑制比
T
A
= 125˚C
V
S
=
±
15V, V
OUT
=
±
10V
R
L
≥
2 kΩ
V
S
=
±
15V ，R
L
= 2 kΩ
V
S
=
±
15V
25
4.5
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25˚C
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
OUT
=
±
10V ，R
L
≥
2 kΩ
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V ，A
V
= 1
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
15
6
100
500
7
20
15
15
300
750
兆赫
mV
nA
nA
mA
V / MV
50
70
50
70
V / μs的
50
1
条件
LM118/LM218
民
典型值
2
6
120
3
5
200
8
25
最大
4
50
250
0.5
民
LM318
典型值
4
30
150
3
5
200
10
最大
10
200
500
mV
nA
nA
MΩ
mA
V / MV
单位
±
12
±
11.5
80
70
±
13
100
80
±
12
±
11.5
70
65
±
13
100
80
V
V
dB
dB
注2 ：
该LM118的最高结温为150℃时， LM218是110℃， LM318为110℃ 。对于在高温下工作的设备
基于160˚C / W的热阻H08包必须降额，结点到环境，或20℃/ W，结到管壳。的热敏电阻
双列直插式封装为100℃ / W，结点到环境温度。
注3 ：
输入被分流背部到后端二极管过压保护。因此，过大电流会在过量的流动，如果一个差动输入电压
1V时的输入端之间，除非一些限流电阻使用。
注4 ：
对于电源电压低于
±
15V时，绝对最大输入电压等于电源电压。
注5 ：
这些规范适用于
±
5V
≤
V
S
≤
±
20V和-55
≤
T
A
≤
+ 125˚C （ LM118 ） ， -25˚C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM218 ） ，和0°C
≤
T
A
≤
+ 70°C （ LM318 ） 。另外，
电源必须绕过与0.1 μF电容盘。
注6 ：
压摆率与V测试
S
=
±
15V 。该LM118是一个单位增益的非反相配置。 V
IN
从-7.5V踩至+ 7.5V ，反之亦然。摆
-5.0V和+ 5.0V之间，反之亦然率经过测试，保证超过50V / μs的。
注7 ：
请参阅RETS118X的LM118H和LM118J军用规格。
注8 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
