LM117/LM317A/LM317
电气特性
产品规格与标准型面为T
J
= 25 ，和那些与
黑体字
申请过
整个工作温度
TURE范围。
除非另有规定ED ，V
IN
− V
OUT
= 5V ，而我
OUT
= 10 mA的电流。
参数
参考电压
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V,
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
, P
≤
P
最大
线路调整
负载调整率
热调节
调节引脚电流
调节引脚电流
变化
温度稳定性
最小负载电流
电流限制
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V
T
民
≤
T
J
≤
T
最大
(V
IN
− V
OUT
) = 40V
(V
IN
− V
OUT
)
≤
15V
K，T ，S包
H封装
MP包
(V
IN
− V
OUT
) = 40V
K，T ，S包
H封装
MP包
RMS输出噪声， ％V的
OUT
纹波抑制比
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
V
OUT
= 10V ， F = 120赫兹，
C
ADJ
= 0 µF
V
OUT
= 10V ， F = 120赫兹，
C
ADJ
= 10 µF
长期稳定性
热阻，
结到外壳
T
J
= 125℃ ， 1000小时
ķ套餐
MDT包
H封装
牛逼套餐
MP包
热阻，
结到环境（无热
汇）
ķ套餐
MDT包（注6 ）
H封装
牛逼套餐
的一揽子（注6 ）
12
4
23.5
35
140
50
50
15
5
0.3
1
0.3
2.3
5
12
4
23.5
35
92
140
50
50
1
3
15
%
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
66
80
66
80
dB
0.15
0.075
0.15
0.4
0.2
0.4
0.003
65
0.15
0.075
0.15
0.4
0.2
0.4
0.003
65
A
A
A
%
dB
1.5
0.5
1.5
2.2
0.8
2.2
3.4
1.8
3.4
1.5
0.5
1.5
2.2
0.8
2.2
3.4
1.8
3.4
A
A
A
1
3.5
10
1
3.5
10
%
mA
3V
≤
(V
IN
− V
OUT
)
≤
40V （注4 ）
10毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
20毫秒的脉冲
0.005
0.01
0.1
0.3
0.04
50
0.2
0.01
0.02
0.5
1
0.07
100
5
0.01
0.02
0.1
0.3
0.04
50
0.2
0.04
0.07
0.5
1.5
0.07
100
5
%/V
%/V
%
%
%/W
µA
µA
条件
民
1.238
1.225
LM317A
典型值
1.250
1.250
最大
1.262
1.270
1.20
1.25
1.30
民
LM317
典型值
最大
V
V
单位
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
参阅RETS117H绘制为LM117H或RETS117K为LM117K军用规格。
注3 ：
虽然功耗内部限制，这些规范适用于2W最大功率耗散的TO- 39和SOT- 223和
20W为TO -3， TO-220和TO- 263 。我
最大
为1.5A的TO- 3 ， TO- 220和TO- 263封装， 0.5A的TO- 39封装， 1A的SOT- 223封装。
所有的限制（即号码的最小和最大值列） ，保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注4 ：
的测量是在一个恒定的结温，使用脉冲试验在低占空比。热效应引起的输出电压的变化是
在规格热调节范围之内。
注5 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注6 ：
如果TO -263或TO -252封装中使用，则耐热性可通过提高印刷电路板的铜区热连接到所述减少
封装。使用0.5平方英寸铜区。
θ
JA
为50℃ / W ;铜面积1平方英寸，
θ
JA
为37℃ / W ;并用1.6以上平方英寸的铜
区，
θ
JA
为32℃ / W 。如果SOT-223包被使用时，耐热性可通过提高印刷电路板的铜区域（见应用的提示可以减少
散热） 。
5
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
