LM2622
绝对最大额定值
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
ESD敏感性
人体模型
机器型号
215˚C
220˚C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
SW电压
FB电压
V
C
电压
SHDN电压
FSLCT
最大结
温度
功率耗散（注2 ）
焊接温度
12V
18V
7V
7V
7V
12V
150˚C
内部限制
300˚C
2kV
200V
工作条件
工作结
温度范围（注4 ）
储存温度
电源电压
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
2V至12V
电气特性
规格标准型面为T
J
= 25℃，那些
黑体字
适用于整个
工作温度
TURE系列
( T
J
= -40℃至+ 125℃ ），除非另有规定。 V
IN
= 2.0V和我
L
= 0A ，除非另有规定。
符号
I
Q
V
FB
I
CL
∆V
O
/∆I
负载
%V
FB
/∆V
IN
I
B
V
IN
g
m
A
V
D
最大
f
S
I
SHDN
I
L
R
DSON
Th
SHDN
UVP
θ
JA
参数
静态电流
反馈电压
开关电流限制
负载调整率
反馈电压线路
规
FB引脚偏置电流（注8 ）
输入电压范围
误差放大器跨导
∆I
= 5µA
误差放大器的电压增益
最大占空比
开关频率
关断引脚电流
开关漏电流
开关的RON
DSON
SHDN阈值
阈值
断阈值
热阻
结到环境（注9 ）
结到环境（注10 ）
结到环境（注11 ）
结到环境（注12 ）
结到环境（注13 ）
FSLCT =接地
FSLCT = V
IN
V
SHDN
= V
IN
V
SHDN
= 0V
V
SW
= 18V
V
IN
= 2.7V ，我
SW
= 1A
输出高
输出低
1.8
1.7
0.9
78
480
1
2
40
135
135
85
600
1.25
0.01
−0.5
0.01
0.2
0.6
0.6
1.92
1.82
235
225
220
200
195
0.3
2.0
1.9
720
1.5
0.1
-1
3
0.4
µA
Ω
V
V
V
V
° C / W
V
IN
= 2.7V （注7 ）
V
IN
= 3.3V
2.0V
≤
V
IN
≤
12.0V
条件
FB = 0V （不转换）
V
SHDN
= 0V
1.2285
1.0
民
典型值
1.3
5
1.26
1.65
6.7
0.013
0.5
0.1
20
12
290
最大
2.0
10
1.2915
2.3
单位
mA
µA
V
A
毫伏/ A
%/V
nA
V
μmho
V/V
%
千赫
兆赫
µA
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是针对该设备旨在条件
是功能性的，但设备参数规格可能无法得到保证。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
JA
,
和环境温度，T
A
。请参阅电气特性表中各种布局的热阻。最大允许功耗
在任何环境温度下，使用计算出的：P
D
（MAX）= （T
J（下最大）
− T
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
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4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
