LM124A/LM124QML
LM124A抗辐射 - 直流漂移值
符号
VIO
参数
输入失调电压
输入偏置电流
条件
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
VCM = -15V
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
VCM = -15V
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
DC ： "Delta calculationsperformed
在QMLV设备在B组，小组5 only"
笔记
民
-0.5
-10
最大
0.5
10
单位
mV
nA
SUB -
群体
1
1
±
IIB
电气特性 - POST辐射限值+ 25℃
符号
VIO
参数
输入失调电压
条件
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
VCM = -15V
VCC + = 2V ， VCC- = -28V ，
VCM = 13V
+ VCC = 5V ， VCC- = GND ，
VCM = -1.4V
VCC + = 2.5V ， VCC- = -2.5 ，
VCM = 1.1V
IIO
输入失调电流
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
VCM = -15V
VCC + = 2V ， VCC- = -28V ，
VCM = 13V
+ VCC = 5V ， VCC- = GND ，
VCM = -1.4V
VCC + = 2.5V ， VCC- = -2.5V ，
VCM = 1.1V
笔记
民
-2.5
-2.5
-2.5
-2.5
-15
-15
-15
-15
-75
-75
-75
-75
40
40
最大
2.5
2.5
2.5
2.5
15
15
15
15
+0.1
+0.1
+0.1
+0.1
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
引用到设备中的所有电压
地面上。
单位
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V / MV
V / MV
SUB -
群体
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
4
4
±
IIB
输入偏置电流
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
VCM = -15V
VCC + = 2V ， VCC- = -28V ，
VCM = 13V
+ VCC = 5V ， VCC- = GND ，
VCM = -1.4V
VCC + = 2.5V ， VCC- = -2.5V ，
VCM = 1.1V
AVS +
电压增益
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
1V
≤
Vo
≤
26V ， RL = 10K欧姆
VCC + = 30V ， VCC- = GND ，
5V
≤
Vo
≤
20V ， RL = 2K欧姆
注6 ：
通过比奥测试保证。
注7 ：
数据记录读数K = V / MV
注8 ：
保证，没有测试
注9 ：
计算参数
注10 ：
前置和后置的照射范围是相同的，除非在后辐射限值表列出在AC和DC电气特性列出。
这些部件可以是剂量率在空间环境敏感，表明增强的低剂量率的效果。为表示参数的辐射终点极限
只有在MIL -STD -883方法1019规定的保证的条件
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
