LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
逻辑输入配置
（续）
CMOS
7V
≤
V
逻辑
（高状态）
≤
15V
DS005692-35
阈值= 0.6 （V）的+ 1.4V
DS005692-36
+
阈值= 0.6
(V
+
)
− 1.4V
运算放大器驱动器
DS005692-37
门槛
≈
+4V
DS005692-38
阈值= -4V
应用提示
保持电容器
保持步，采集时间和下垂率是主要的
权衡在保持电容值的选择。大小和
成本也可能成为更大的价值非常重要。利用
包含在此数据表中的曲线应该是在SE-有帮助
lecting电容的合理价值。请记住，
快速重复率或跟踪高速信号时，电容
驱动电流可能导致显著温度上升
该LF198 。
误差的准确采样和保持一个显著源
电路电介质吸收的保持电容。聚酯薄膜
盖，例如，可高达0.2％后快速“下垂背面”
改变电压。前长采样时间是必需的
电路可以被放回到保持模式与这种类型的
电容。介电材料具有极低的滞后是polysty-
勒内，聚丙烯和聚四氟乙烯。其它类型，例如云母
而聚碳酸酯是不是几乎一样好。的优点
聚丙烯在聚苯乙烯是，它扩展了马克西 -
妈妈环境温度从85℃至100℃。最胶结
RAMIC电容器不可用
＆ GT ;
1 ％的滞后。胶结
RAMIC “ NPO ”或“ COG ”电容器现可
125°C操作，还具有低介质吸收。为
更精确的数据，请参阅曲线
电介质吸收误差。
曲线上的滞后数字是最终值，取
经过充分的放松。滞后误差可显著
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6
如果LF198的输出迅速数字化后降低
保持模式被启动。滞后弛豫时间
在聚丙烯常数，例如为10 - 50毫秒。如果
A到D转换可在1ms内进行，滞后误差
将通过10倍降低。
DC和AC归零
DC调零通过连接偏移调整完成
销至1 kΩ电位具有一个端部的擦拭器
连接到V
+
并通过一个电阻连接，另一端与地。
电阻器应选择得
≈0.6
通过毫安
1K电位器。
交调零（保持步置零）可通过加入而获得
逆变器与调节锅内绑输入到输出。 10 pF的
从雨刮器，以保持电容器电容会给
±
4毫伏
持步调整了0.01 μF保持电容和5V
逻辑电源。对于较大的逻辑波动，更小的电容
(
＆ LT ;
10 pF）时也可以使用。
逻辑的上升时间
对于正确的操作，逻辑信号进入LF198必须有
1.0伏/微秒的最小的dV / dt 。较慢的信号会导致EX-
cessive保持步。如果一个的R / C网络中使用的前
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
