LM2747
应用信息
（续）
例如，如果主电源输出电压摆率
为1V / ms的启动之间的期望延迟时间
主电源和LM2747的输出电压为5毫秒，
然后将所需的SD引脚压摆率是（ 1.08V / 5毫秒） =
0.216V / MS 。由于SD引脚的内部阻抗，则
对于R的最大建议值
S2
为1千欧。为了实现
所需的压摆率，R
S1
然后将是274Ω 。时序
图对本实施例中示出
20150906
图8. SD引脚的逻辑
MOSFET栅极驱动器
该LM2747具有设计用于驱动两个栅极驱动器
N沟道MOSFET的同步模式。注意
不像大多数其它的同步控制器，引导
该LM2747的电容提供动力，不仅为
驱动器上MOSFET的，但较低的MOSFET驱动器
太（两位车手都以地为参考，即没有浮
驱动程序） 。
有两件事情必须牢记在这里。首先， BOOT引脚
有18V的绝对最大额定值。这决不可能
超越，即使是瞬间。自举电容
被连接到SW节点，峰值电压印象上
的引导销为输入电压之和（Ⅴ
IN
）加上
自举电容两端的电压（忽略任何前锋
整个自举二极管压降） 。自举电容
由给定的轨道充电（所谓的V
BOOT_DC
在这里） ，只要
上MOSFET关断。这个轨道可以是同
V
CC
或者它可以是任何外部接地参考的DC干线。但
保健已选择该引导DC时行使
铁路的BOOT引脚不被损坏。例如，如果
所需的最大V
IN
为14V和V
BOOT_DC
被选择为
相同的V
CC
，那么显然，如果在V
CC
轨是6V ，峰值
电压在BOOT引脚为14V + 6V = 20V 。这是unac-
接受的，因为它是在过量的引导销的等级的。一
V
CC
3V的是在这种情况下，可以接受的。或V
IN
范围
必须相应地减小。还有的选项
从另外一个3V的外部导轨派生自举DC轨，
独立的V
CC
.
要牢记的第二件事情在这里是输出
引导直流导轨之间的低侧驱动器摆动
第五级
BOOT_DC
和地面，而的输出
V的高边驱动器摆幅
IN
+ V
BOOT_DC
和
地面上。为了充分保持高侧MOSFET DE-当
sired ，该MOSFET的栅极引脚电压必须高于
比它的瞬时源极引脚电压的量
等于“米勒平台” 。它可以表明此高原
等于所选择的MOSFET的阈值电压加上
少量等于IO /克。这里Io是最大负载
当前的应用程序，而g是跨导
该MOSFET （通常约100逻辑电平器件） 。
这意味着我们必须选择V
BOOT_DC
至至少超过
20150911
图7.延迟测序
SD引脚阻抗
当连接一个电阻分压器来的SD引脚
LM2747一些护理，必须采取。一旦SD电压
那张高于V
SD -IH
， 17 μA的上拉电流为激活
所示
该电流被用来创建内部
迟滞（ ） 170毫伏） ;然而，高的外部阻抗
会影响到SD引脚的逻辑阈值也是如此。外部
用于测序分压网络的阻抗应
优选是SD引脚的阻抗的一小部分
良好的性能（ 1kΩ左右） 。
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