DS90LV028A
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
输入电压（注册商标
IN
+, R
IN
−)
输出电压（R
OUT
)
男包
减免男包
LD封装
减额LD封装
存储温度范围
-0.3V至+ 4V
-0.3V至+ 3.9V
-0.3V到V
CC
+ 0.3V
1025毫瓦
8.2毫瓦/ C以上+ 25℃
3.3W
25.6毫瓦/ ° C以上+ 25°C
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度范围焊接
（ 4秒）。
最高结温
ESD额定值（注4 ）
（ HBM 1.5 kΩ的， 100 pF的）
（ EIAJ 0Ω ， 200 pF的）
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
接收器的输入电压
经营自由的空气
温度（T
A
)
−40
25
+85
˚C
+3.0
GND
典型值
+3.3
最大
+3.6
3.0
单位
V
V
≥
7千伏
≥
500 V
+260˚C
+150˚C
最大封装功耗
@
+25˚C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2,3）
符号
V
TH
V
TL
I
IN
参数
差分输入高阈值
差分输入阈值低
输入电流
V
IN
= +2.8V
V
IN
= 0V
V
IN
= +3.6V
V
OH
输出高电压
V
CC
= 0V
R
OUT
I
OH
= -0.4毫安，V
ID
= 200毫伏
I
OH
= -0.4毫安，输入端接
I
OH
= -0.4毫安，输入短路
V
OL
I
OS
V
CL
I
CC
输出低电压
输出短路电流
输入钳位电压
无负载电源电流
I
OL
= 2毫安， V
ID
= -200 mV的
V
OUT
= 0V （注5）
I
CL
= -18毫安
输入OPEN
V
CC
−15
−1.5
V
CC
= 3.6V或0V
条件
V
CM
= + 1.2V ， 0V ， 3V （注12 ）
针
R
IN
+,
R
IN
−
−100
−10
−10
-20
2.7
2.7
2.7
3.1
3.1
3.1
0.3
−50
−0.8
5.4
9
0.5
−100
民
典型值
最大
+100
单位
mV
mV
µA
µA
µA
V
V
V
V
mA
V
mA
±
1
±
1
+10
+10
+20
开关特性
V
CC
= +3.3V
±
10%, T
A
= -40°C至+ 85℃（注6,7）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD1
t
SKD2
t
SKD3
t
SKD4
t
TLH
t
THL
f
最大
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分脉冲偏斜|吨
PHLD
− t
PLHD
差分通道至通道偏移，相同的设备（注9 ）
微分部分之间的偏移（注10 ）
微分部分之间的偏移（注11 ）
上升时间
下降时间
最大工作频率（注13 ）
200
条件
C
L
= 15 pF的
V
ID
- 200毫伏
和
民
1.0
1.0
0
0
0
0
325
225
250
典型值
1.6
1.7
50
0.1
最大
2.5
2.5
400
0.5
1.0
1.5
800
800
单位
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ps
ps
兆赫
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非另有
指定（如V
ID
).
注3 ：
所有标准被定为： V
CC
= + 3.3V和T
A
= +25˚C.
注4 ：
ESD额定值： HBM （ 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
7千伏
EIAJ （ 0Ω ， 200 pF的）
≥
500V
注5 ：
输出短路电流（I
OS
）被指定为大小只，减号仅指示方向。只有一个输出应在同一时间内短路，不要
超过最大结温规范。
注6 ：
C
L
包括探头和夹具电容。
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
