DS90CR217
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
CMOS / TTL输入电压
CMOS / TTL输出电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路
电路持续时间
结温
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 4秒）
最大封装功耗
@
+25˚C
MTD48 （ TSSOP ）封装：
DS90CR217
1.98 W
+260˚C
连续
+150˚C
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V至+ 4V
-0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
套餐降额
DS90CR217
ESD额定值
（ HBM ， 1.5kΩ上，100pF电容）
（ EIAJ ， 0Ω ， 200pF的）
闭锁公差
@
25˚C
16毫瓦/ C以上+ 25℃
＆ GT ;
7kV
＆ GT ;
700V
＆ GT ;
±
300mA
推荐工作
条件
最小值标称值最大值单位
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
接收器输入范围
电源噪声电压（V
CC
)
−10 +25 +70
0
2.4
˚C
V
3.0
3.3
3.6
V
100毫伏
PP
电气特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
CL
I
IN
I
OS
V
OD
∆V
OD
V
OS
∆V
OS
I
OS
I
OZ
I
CCTW
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
输入电流
输出短路电流
差分输出电压
改变V
OD
间
免费提供输出国家
失调电压（注4 ）
改变V
OS
间
免费提供输出国家
输出短路电流
输出三态电流
变送器电源电流最差
案例（带负载）
V
OUT
= 0V ，R
L
= 100Ω
PWR DWN = 0V ，V
OUT
= 0V或V
CC
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下
图案
（图
F = 33 MHz的
F = 40MHz的
F = 66MHz的
F = 85 MHz的
−3.5
1.125
1.25
I
CL
= -18毫安
V
IN
= 0.4V ， 2.5V或V
CC
V
IN
= GND
V
OUT
= 0V
R
L
= 100Ω
250
LVDS驱动器DC规格
290
450
35
1.375
35
−5
mV
mV
V
mV
mA
µA
mA
mA
mA
mA
µA
−10
条件
民
2.0
GND
−0.79
+1.8
0
−60
−120
典型值
最大
V
CC
0.8
−1.5
+15
单位
V
V
V
µA
µA
mA
CMOS / TTL DC规格
±
1
28
29
34
39
10
±
10
42
47
52
57
55
变送器供电电流
I
CCTZ
变送器电源电流
下
PWR DWN =低
三态驱动器输出
在掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25˚C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
∆V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
