DS26LS31C/DS26LS31M
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输入电压
输出电压
输出电压（断电）
最大功率耗散（注1 ） ，在25℃
腔体套餐
模压DIP封装
SO封装
1509毫瓦
1476毫瓦
1051毫瓦
7V
7V
5.5V
-0.25至6V
工作条件
民
电源电压，V
CC
DS26LS31M
DS26LS31
温度T
A
DS26LS31M
DS26LS31
−55
0
+125
+70
˚C
˚C
4.5
4.75
5.5
5.25
V
V
最大
单位
注1 ：
减免腔封装10.1毫瓦/ C 25℃以上;减免成型DIP
包11.9毫瓦/ C 25℃以上;减额SO封装， 8.41毫瓦/ C以上
25˚C.
电气特性
（注3，4， 5）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
I
I
O
V
CL
I
SC
I
CC
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入低电平电流
输入高电流
输入反向电流
三态输出电流
输入钳位电压
输出短路电流
电源电流
所有输出禁用
或主动
V
IN
= 0.4V
V
IN
= 2.7V
V
IN
= 7V
V
O
= 2.5V
V
O
= 0.5V
I
IN
= -18毫安
−30
35
−40
条件
I
OH
= -20毫安
I
OL
= 20毫安
2.0
0.8
−200
20
0.1
20
−20
−1.5
−150
60
民
2.5
0.5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
µA
µA
V
mA
mA
开关特性
V
CC
= 5V ，T
A
= 25˚C
符号
t
PLH
t
PHL
SKEW
t
LZ
t
HZ
t
ZL
t
ZH
参数
输入到输出
输入到输出
输出到输出
使能到输出
使能到输出
使能到输出
使能到输出
条件
C
L
= 30 pF的
C
L
= 30 pF的
C
L
= 30 pF的
C
L
= 10 pF的， S2开
C
L
= 10 pF的， S1打开
C
L
= 30 pF的， S2开
C
L
= 30 pF的， S1打开
民
典型值
10
10
2.0
15
15
20
20
最大
15
15
6.0
35
25
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注2 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供器件的实际工作情况。
注3 ：
除非另有指定的最小/最大限制横跨-55应用到+ 125℃的温度范围内为DS726LS31M和跨越0°C到+ 70°C的范围
为DS26LS31 。所有标准被定为V
CC
= 5V和T
A
= 25˚C.
注4 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流超出器件引脚为负。所有电压都以地为参考，除非另有说明。
注5 ：
只有一个输出在时间应短。
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
