7 0绝对最大额定值
（注1 ）
b
12V
电源电压（V
EE
)
封装额定功率为25℃
3 5瓦
（PC板装）
参见第5
线性降额在28毫瓦6 C中的速度
推荐工作
条件
电源电压（V
EE
)
b
9v
g
5%
输入电压
储存温度
铅温度（焊接10秒）
0
b
12V
b
65 〜150℃
260 C
环境温度
0至70℃
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
对于该设备的实际功耗请参阅第7 0
8 0 DP8392C电气特性
V
EE
E B
9V
g
5% T
A
e
0〜 70℃ （注2
相对于CD中的所有参数
g
和RX
g
脉冲变压器除V之后测量
OC
符号
I
EE1
I
EE2
I
RXI
I
香港贸易发展局
I
TAC
V
CD
V
OD
V
OC
V
OB
V
TS
C
X
R
RXI
R
TXO
参数
电源电流输出的V
EE
针
电源电流输出的V
EE
针
非发射
发射
b
2
3)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
mV
V
mV
mV
pF
KX
KX
3)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
mV
V
mV
mV
pF
KX
KX
民
典型值
b
85
b
125
最大
b
130
b
180
a
25
接收输入偏置电流（ RXI ）
发射输出直流电流（ TXO ）
发射输出交流电流电平（ TXO ）
碰撞阈值（接收模式）
差分输出电压（RX
g
CD
g
)
共模输出电压（RX
g
CD
g
)
diff的输出电压不平衡（ RX
g
CD
g
)
发射静噪门限（TX
g
)
输入电容（ RXI ）
分流电阻
分流电阻
不发射（ RXI ）
发射（ TXO ）
37
g
28
41
b
1 53
b
2 0
b
225
45
I
香港贸易发展局
b
1 58
g
1200
b
1 45
g
550
b
1 5
b
175
b
2 5
g
40
b
300
12
100
10
9 0 DP8392C - 1电气特性
V
EE
E B
9V
g
5% T
A
e
0〜 70℃ （注2
相对于CD中的所有参数
g
和RX
g
脉冲变压器除V之后测量
OC
符号
I
EE1
I
EE2
I
RXI
I
香港贸易发展局
I
TAC
V
CD
V
OD
V
OC
V
OB
V
TS
C
X
R
RXI
R
TXO
参数
电源电流输出的V
EE
针
电源电流输出的V
EE
针
非发射
发射
b
2
民
典型值
b
85
b
125
最大
b
130
b
180
a
25
接收输入偏置电流（ RXI ）
发射输出直流电流（ TXO ）
发射输出交流电流电平（ TXO ）
碰撞阈值（接收模式）
差分输出电压（RX
g
CD
g
)
共模输出电压（RX
g
CD
g
)
diff的输出电压不平衡（ RX
g
CD
g
)
发射静噪门限（TX
g
)
输入电容（ RXI ）
分流电阻
分流电阻
不发射（ RXI ）
发射（ TXO ）
37
g
28
41
b
1 53
b
2 0
b
225
45
I
香港贸易发展局
b
1 58
g
1200
b
1 45
g
550
b
1 5
b
175
b
2 5
g
40
b
275
12
100
7 5K
10
注1
绝对最大额定值是那些价值超过该装置的安全性不能保证它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行
注2
所有电流为器件引脚为正的所有电流超出器件引脚为负时，对地所有电压，除非另有说明
注3
所有标准被定为V
EE
E B
9V和T
A
e
25 C
7
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
