电气特性
（续）
数字化水平和直流参数：
ADC0808CJ 4.5V≤V
CC
≤5.5V,
−55˚C≤T
A
≤+125˚C
除非另有说明
ADC0808CCJ ， ADC0808CCN ， ADC0808CCV ， ADC0809CCN和ADC0809CCV ， 4.75≤V
CC
≤5.25V,
−40˚C≤T
A
≤+85˚C
除非
另有说明
符号
V
OUT(1)
V
OUT(0)
V
OUT(0)
I
OUT
参数
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
逻辑“0”输出电压EOC
三态输出电流
条件
I
O
= −360 µA
I
O
= 1.6毫安
I
O
= 1.2毫安
V
O
= 5V
V
O
= 0
−3
民
V
CC
−0.4
0.45
0.45
3
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
数据输出和EOC （中断）
电气特性
时序特定网络阳离子
V
CC
= V
REF （ + ）
= 5V, V
REF （ - ）
= GND ，T
r
= t
f
= 20纳秒和T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
t
WS
t
WALE
t
s
t
H
t
D
t
H1
, t
H0
t
1H
, t
0H
t
c
f
c
t
EOC
C
IN
C
OUT
参数
最小启动脉冲宽度
最低ALE脉冲宽度
最小地址建立时间
最小地址保持时间
模拟MUX延迟时间
从ALE
OE控制，以Q逻辑状态
OE控制为Hi -Z
转换时间
时钟频率
EOC延迟时间
输入电容
三态输出
电容
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时，直流和交流电气规格不适用
该设备超出规定的操作条件。
注2 ：
所有电压都相对于GND ，除非othewise规定。
注3 ：
齐纳二极管的存在，在内部，从V
CC
到Gnd和具有7V的典型击穿电压
DC
.
注4 ：
两个片上二极管连接到每个模拟输入，将转发行为的模拟输入电压低于地或一个二极管压降较大的一个二极管压降
比V
CC
氮素供应。该规范允许使用二极管100 mV的正向偏压。这意味着，只要在模拟V
IN
由多不超过电源电压
超过100 mV时，输出代码是正确的。为了实现一种绝对的0V
DC
至5V
DC
因此，输入电压范围要求的4.900伏的最小电源电压
DC
随温度的变化，初始容差和负载。
注5 ：
总非调整误差包括偏移，满量程，线性和多路复用器错误。看
图2中。
所有这些位A / D的要求是零或满量程调整。然而
以往，如果一个全零码所需的模拟输入高于0.0V等，或者，如果一个窄满刻度量程的存在（例如： 0.5V至4.5V的满量程）的参考电压
可以进行调整，以实现这一目标。看
图13 。
注6 ：
比较器的输入电流的偏置电流流入或流出所述斩波器稳定化的比较器。偏置电流直接随时钟频率，具有小
温度依赖性（图
* NO TGT ：图NS0592 * ） 。
见第4.0 。
注7 ：
该数据寄存器的输出被更新的一个时钟周期EOC的上升沿之前。
注8 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
条件
（图
5)
（图
5)
（图
5)
（图
5)
R
S
= 0Ω （图
5)
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10K （图
8)
C
L
= 10 pF的，R
L
= 10K （图
8)
f
c
= 640千赫（图
5)
（注7 ）
（图
5)
在控制输入
在三态输出
民
典型值
100
100
25
25
1
125
125
最大
200
200
50
50
2.5
250
250
116
1280
8+2 µS
单位
ns
ns
ns
ns
µS
ns
ns
µS
千赫
时钟
期
pF
pF
90
10
0
100
640
10
10
15
15
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4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
