绝对最大额定值
2)
（注1 ，
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
） （注3）
6.5V
电压的任何引脚
-0.3V到（V
CC
+0.3V)
除了控制输入
电压控制输入
-0.3V至+ 15V
（ START ， OE ，时钟， ALE ， ADD A ， ADD B， ADD C）
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
875毫瓦
在T封装散热
A
= 25˚C
铅温度。 （焊接， 10秒）
双列直插式封装（塑料）
260˚C
双列直插式封装（陶瓷）
模芯片载体封装
气相（60秒）
红外（15秒）
ESD易感性（注8 ）
300˚C
215˚C
220˚C
400V
（注1,2 ）
T
民
≤T
A
≤T
最大
−55˚C≤T
A
≤+125˚C
−40˚C≤T
A
≤+85˚C
−40˚C
≤
T
A
≤
+85˚C
4.5 V
DC
以6.0 V
DC
工作条件
温度范围（注1 ）
ADC0808CJ
ADC0808CCJ ， ADC0808CCN ，
ADC0809CCN
ADC0808CCV ， ADC0809CCV
V范围
CC
（注1 ）
电气特性
转换器产品规格：
V
CC
= 5 V
DC
= V
REF +
, V
REF （ - ）
= GND ，T
民
≤T
A
≤T
最大
和f
CLK
= 640千赫，除非另有说明。
符号
参数
ADC0808
总非调整误差
（注5 ）
ADC0809
总非调整误差
（注5 ）
输入阻抗
模拟输入电压范围
V
REF （ + ）
电压，上天梯
阶梯电压，中心
0 ° C至70℃
T
民
给T
最大
从参考文献（ + ） ，以文献（ - ）
（注4） V（ + ）或V （ - ）
测量参考（ + ）
V
CC
/2-0.1
测量参考（ - ）
f
c
= 640千赫， （注6 ）
−0.1
−2
1.0
GND−0.10
V
CC
V
CC
/2
0
2.5
V
CC
+0.10
V
CC
+0.1
V
CC
/2+0.1
25˚C
T
民
给T
最大
条件
民
典型值
最大
单位
最低位
最低位
最低位
最低位
kΩ
V
DC
V
V
±
1
⁄
2
±
3
⁄
4
±
1
±
1
1
⁄
4
V
REF （ - ）
I
IN
电压，下梯子的
比较器的输入电流
V
2
µA
±
0.5
电气特性
数字化水平和直流参数：
ADC0808CJ 4.5V≤V
CC
≤5.5V,
−55˚C≤T
A
≤+125˚C
除非另有说明
ADC0808CCJ ， ADC0808CCN ， ADC0808CCV ， ADC0809CCN和ADC0809CCV ， 4.75≤V
CC
≤5.25V,
−40˚C≤T
A
≤+85˚C
除非
另有说明
符号
模拟多路复用器
I
关（ +）
关道泄漏电流
V
CC
= 5V, V
IN
= 5V,
T
A
= 25˚C
T
民
给T
最大
V
CC
= 5V, V
IN
= 0,
T
A
= 25˚C
T
民
给T
最大
控制输入
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入电流
（控制输入）
逻辑“0”输入电流
（控制输入）
电源电流
f
CLK
= 640千赫
0.3
3.0
mA
V
IN
= 0
−1.0
µA
V
IN
= 15V
V
CC
−1.5
1.5
1.0
V
V
µA
−200
−1.0
−10
10
200
1.0
nA
µA
nA
µA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
I
关（ - ）
关道泄漏电流
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
