DDR3(L) 4Gb SDRAM
NT5CB(C)512M8DN / NT5CB(C)256M16DP
Power-Down Entry after Write with Auto Precharge
T0
T1
Ta0
Ta1
Ta2
Ta3
Ta4
Ta5
Ta6
Ta7
Tb0
Tb1
Tb2
Tb3
Tc0
CK
CK
WRITE
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Valid
tIS
tCPDED
CKE
Bank,
Col n
Address
WL=AL+CWL
WR (1)
tPD
DQS,
DQS
Start Internal
Precharge
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
Din
b+4
Din
b+5
Din
b+6
Din
b+7
BL8
BC4
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
tWRAPDEN
Power-Down
Entry
Do not
care
Time
Break
Power-Down Entry after Write
T0
T1
Ta0
Ta1
Ta2
Ta3
Ta4
Ta5
Ta6
Ta7
Tb0
Tb1
Tb2
Tc0
CK
CK
WRITE
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
tIS
NOP
NOP
tCPDED
CKE
Bank,
Col n
Address
WL=AL+CWL
WR
tPD
DQS,
DQS
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
Din
b+4
Din
b+5
Din
b+6
Din
b+7
BL8
BC4
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
tWRPDEN
Power-Down
Entry
Do not
care
Time
Break
Version 2.3
02/2017
68
Nanya Technology Cooperation ©
All Rights Reserved.
NANYA [ Nanya Technology Corporation. ]
