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NT5CB128M16JR-DIH 参数 Datasheet PDF下载

NT5CB128M16JR-DIH图片预览
型号: NT5CB128M16JR-DIH
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内容描述: [Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 154 页 / 4780 K
品牌: NANYA [ Nanya Technology Corporation. ]
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NTC Proprietary  
Level: Property  
DDR3(L)-2Gb SDRAM  
NT5CB(C)256M8JQ/NT5CB(C)128M16JR  
DDR3L AC and DC Logic Input Levels for DQ and DM  
DDR3L  
Symbol  
Parameter  
1600  
1866  
Unit Notes  
Min  
Max  
Min  
Max  
VIH.DQ(DC90) DC input logic high  
VIL.DQ(DC90) DC input logic low  
VIH.DQ(AC160) AC input logic high  
VIL.DQ(AC160) AC input logic low  
VIH.DQ(AC135) AC input logic high  
VIL.DQ(AC135) AC input logic low  
VIH.DQ(AC130) AC input logic high  
VIL.DQ(AC130) AC input logic low  
Vref + 0.09  
VDD  
Vref + 0.09  
VDD  
V
V
V
V
V
V
V
V
1
VSS  
Vref - 0.09  
VSS  
-
Vref - 0.09  
-
1
-
-
1,2  
1,2  
1,2  
1,2  
1,2  
1,2  
-
-
-
-
Vref + 0.135  
Note 2  
Vref + 0.135  
Note 2  
Vref + 0.13  
Note 2  
Note 2  
Vref - 0.135  
Note 2  
Vref - 0.13  
Note 2  
Vref - 0.135  
-
-
-
-
Reference Voltage  
VRefDQ(DC)  
0.49 * VDD  
0.51 * VDD  
0.49 * VDD  
0.51 * VDD  
V
3,4  
for DQ, DM inputs  
NOTE 1 For input only pins except REET. Vref = VrefDQ(DC).  
NOTE 2 See “Overshoot and Undershoot Specifications”.  
NOTE 3 The AC peak noise on VRef may not allow VRef to deviate from VRefDQ(DC) by more than +/-1% VDD (for reference: approx. +/- 13.5  
mV).  
NOTE 4 For reference: approx. VDD/2 +/- 13.5 mV.  
Version 1.4  
05/2019  
89  
Nanya Technology Cooperation ©  
All Rights Reserved.  
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