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扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
NT5DS4M32EG
超前信息
扩展模式寄存器的存储数据，用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动强度。该
扩展模式寄存器的默认值是没有定义的，因此扩展模式寄存器必须写入后
电时用于启用或禁用的DLL。扩展模式寄存器写的是主张低/ CS ， / RAS ， / CAS ， /
WE和高的BA0 （该DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入了前高
扩展模式寄存器） 。地址引脚A0 ， A2 〜 A5 ， A7 〜 A11和BA1在同一周期/ CS ， / RAS ， / CAS状态
和/ WE变为低电平都写在扩展模式寄存器。 A1and A6用于驱动强度设置为弱或
匹配阻抗。两个时钟周期需要完成在扩展模式寄存器的写操作。该
模式寄存器的内容可以使用相同的命令和时钟周期的要求操作期间改变
只要所有的银行都处于空闲状态A0用于DLL使能或禁用。 “高”的BA0用于EMRS 。所有
其他地址引脚除外A0，A1 ，A6和BA0必须设置为低正确EMRS操作。请参考表
具体的代码。
BA
1
BA
0
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
地址总线
俄罗斯足协
1
俄罗斯足协
DIC
俄罗斯足协
DIC
DLL
EXTENDED
模式寄存器
BA
0
0
1
模式
太太
EMRS
A
6
0
1
A
1
1
1
输出驱动器阻抗控制
弱
阻抗匹配
全驱动强度60 ％
全驱动强度30 ％
A
0
0
1
DLL使能
启用
关闭
• RFU （保留供将来使用）应在MRS周期保持为“0” 。
图6 ：低频运行模式
DLL禁用模式
/ CK
CK
t
RP
2Clock
分钟。
2Clock
分钟。
DLL禁用
模式
t
RP
2Clock
分钟。
2Clock
分钟。
2Clock
分钟。
命令
预充电
所有银行
EMRS
太太
*1
CMD
预充电
所有银行
EMRS
太太
复位DLL
太太
活跃
读
*2
输入DLL
关闭
模式
CL=2/3
BL = FREE
DLL退出
关闭
模式
200时钟分。
注意事项：
- DLL禁用模式，工作模式为143MHz下和83MHz的之间的低工作频率无DLL。
- 这个DLL禁用模式是省电实用。
- 所有银行预充电或银行预充电命令，可以进入和退出的DLL禁用模式之前忽略。
* 1 ： CL = 2 & 3和BL可以设置任何突发长度为DLL禁用模式。
* 2 ：读命令，可尽量应用为tRCD的任何银行活动的命令后，满意。
它需要一个额外的200个时钟周期读取操作退出DLL禁用模式后。
文件号14-02-045版本A ECN 01-1118
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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