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NT5DS4M32EG-5G 参数 Datasheet PDF下载

NT5DS4M32EG-5G图片预览
型号: NT5DS4M32EG-5G
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内容描述: 1M 】 32位】 4银行双数据速率同步RAM采用双向数据选通和DLL [1M 】 32 Bits 】 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM With Bi-Directional Data Strobe and DLL]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 46 页 / 1048 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
NT5DS4M32EG
超前信息
功能说明
上电顺序
的DDR SDRAM必须被加电并以预定的方式初始化,以防止未定义操作。
1.接通电源,并保持CKE低状态(所有其它输入可以是不确定的)
- 之前或同时为VDDQ应用VDD。
- 之前或同时为VREF & VTT应用VDDQ
2.启动时钟和保持稳定的条件,最低为200ps
3.为200μs的稳定的电源和时钟(CK, / CK )后的最小,应用NOP和CKE变高。
该设备的所有银行4.发出预充电命令。
5.发出一个EMRS命令启用DLL
*1
6.发行A太太命令重置DLL。新增200个时钟周期需要锁定的DLL 。
8,发行至少2个以上的自动刷新命令。
9.发行模式寄存器设置命令与A8低初始化模式寄存器。
* 1每一个“DLL启用”命令重置DLL 。因此序列6可在上电期间被跳过。
代替它,时钟输入端的附加200cycles需要使DLL的后锁定DLL 。
* 6 & 7 2顺序是无关的量级。
*该设备的所有银行1,2 7.发行预充电命令。
图4 :上电&初始化顺序
/ CK
CK
t
RP
2Clock
分钟。
太太
复位DLL
2Clock
分钟。
预充电
所有银行
t
RP
第一汽车
刷新
tRFC
第二届汽车
刷新
tRFC
2Clock
分钟。
模式
寄存器集
任何
命令
命令
预充电
所有银行
EMRS
输入必须是
稳定为200us
200时钟分。
文件号14-02-045版本A ECN 01-1118
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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