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N02L1618C1AB2 参数 Datasheet PDF下载

N02L1618C1AB2图片预览
型号: N02L1618C1AB2
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内容描述: 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位 [2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 263 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N02L1618C1A
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3〜 3.0
500
-40至125
-40至+85
240
o
C, 10秒(仅适用于铅)
单位
V
V
mW
o
超前信息
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件,操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性(在规定温度范围)
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
µs
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
页面模式工作电源电流
@ 70ns的周期时间
(请参阅电源
储蓄与页面模式操作
图)
读/写静态工作支持部门
当前层
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=2.2 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0
V
CC
=2.2 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0
V
CC
=2.2V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0
V
CC
=2.2V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用,我
OUT
= 0,
f=0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C, VCC = 2.2 V
V
CC
= 1.2V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用,T
A
= 85
o
C
0.5
1.4
8.0
芯片已禁用
2
测试条件
分钟。
1.65
1.2
0.7Vcc
–0.3
V
CC
–0.2
0.3
0.5
0.5
3.0
17.0
典型值
1
1.8
最大
2.2
2.2
V
CC
+0.3
0.3Vcc
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
I
CC3
2.0
4.0
mA
I
CC4
0.1
mA
最大待机电流
I
SB1
10.0
µA
最大数据保持电流
3
I
DR
5.0
µA
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值,T测量。
A
= 25°C ,不100 %测试。
2.此参数指定禁用,以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
3.本装置假设待机模式下,如果芯片被禁用( CE高点) 。为了实现低待机电流所有输入必须是
在0.2伏电压VCC或VSS的
库存号23265 -A
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
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