欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

N16L163WC2CT1-55IL 参数 Datasheet PDF下载

N16L163WC2CT1-55IL图片预览
型号: N16L163WC2CT1-55IL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 16位 [16Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 266 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
 浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N16L163WC2CT1-55IL的Datasheet PDF文件第11页  
N16L163WC2C
NanoAmp Solutions, Inc.
Data Retention Characteristics
Parameter
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
Description
Vcc for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Vcc = 1.5V, CE
Vcc - 0.2V,
VIN
Vcc - 0.2V or VIN
0.2V
-L
0
t
RC
Condition
Min
1.5
15
10
Typ
Max
Unit
V
µA
ns
ns
Advance Information
Data Retention Waveform
Data Retention Mode
Vcc
Vcc(min)
t
CDR
CE1 or
LB/UB
or
CE2
VDR
1.5V
Vcc(min)
t
R
Note: Full device operation requires linear Vcc ramp from VDR to Vcc(min) > 100 µs
Stock No. 23383-C
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.
8