欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

N08L163WC2CZ1-55IL 参数 Datasheet PDF下载

N08L163WC2CZ1-55IL图片预览
型号: N08L163WC2CZ1-55IL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 243 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
 浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N08L163WC2CZ1-55IL的Datasheet PDF文件第9页  
N08L163WC2C  
Advance Information  
NanoAmp Solutions, Inc.  
Data Retention Characteristics  
Parameter  
Description  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDR  
Vcc for Data Retention  
1.5  
V
10  
4
Vcc = 1.5V, CE Vcc - 0.2V,  
VIN Vcc - 0.2V or VIN 0.2V  
ICCDR  
Data Retention Current  
µA  
-L  
Chip Deselect to Data  
Retention Time  
Operation Recovery Time  
tCDR  
tR  
0
ns  
ns  
tRC  
Data Retention Waveform  
Data Retention Mode  
Vcc  
Vcc(min)  
Vcc(min)  
VDR 1.5V  
t
t
R
CDR  
CE1 or  
LB/UB  
or  
CE2  
Note: Full device operation requires linear Vcc ramp from VDR to Vcc(min) > 100 µs  
Stock No. 23380-C  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
7