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MP4T85635 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MP4T85635
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内容描述: 中等功率高的fT NPN硅晶体管 [Moderate Power High fT NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 104 K
品牌: MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
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中等功率高的fT NPN硅晶体管
典型性能曲线(续“
d)
MP4T85600
电容VS集电极 - 基极电压
1
0.9
0.8
0.7
COB (PF )
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
集电极 - 基极电压(伏特)
100
0
0
10
20
30
40
直流电流增益
140
120
100
80
60
40
20
MP4T856系列
额定直流电流增益( HFE)
VS的集电极电流VCE = 8伏
50
60
70
80
集电极电流(毫安)
标称噪声系数和相关
增益F = 1 GHz的集电极电流为
VCE = 8伏( MP4T85635 )
25
噪声系数(dB )
相关的增益(分贝)
额定输出功率在1分贝
压缩点VS集热器
电流F = 1和2 GHz和VCE = 8伏
(MP4T85635)
18
16
P
OUT
- 1分贝( DBM)
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
集电极电流(毫安)
100
F = 1 GHz的
相关的增益
20
15
10
5
0
1
10
集电极电流(毫安)
100
噪声系数
表壳款式
芯片( MP4T85600 )
A
BASE
MP4T85600
DIM 。
英寸(标称)
A
0.013
B
0.013
C
0.0012
D
0.0045
MM (标称)
0.35
0.35
0.03
0.11
B
ð厚度
辐射源
C 2 PLCS
规格如有变更,恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ,圣何塞,加利福尼亚州95131
7
电话:( 408 ) 432-1480
传真:( 408 ) ) 432-3440