中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3V时， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.471
-118.4
400
0.457
-152.6
600
0.458
-168.7
800
0.461
-178.9
1000
0.466
173.0
1200
0.471
166.0
1400
0.476
160.2
1600
0.480
155.0
1800
0.485
150.1
2000
0.491
144.8
2200
0.488
141.5
2400
0.496
137.1
2600
0.499
132.9
2800
0.510
129.4
3000
0.513
125.8
S21E
MAG 。
角
19.14
115.5
10.70
97.7
7.33
88.2
5.57
81.4
4.48
75.7
3.76
70.3
3.24
65.5
2.86
61.1
2.56
56.7
2.32
52.3
2.12
48.8
1.97
44.7
1.83
40.8
1.71
37.3
1.62
34.0
MAG 。
0.034
0.048
0.064
0.079
0.095
0.110
0.128
0.144
0.158
0.172
0.190
0.207
0.220
0.233
0.249
S12E
角
56.7
57.2
60.7
61.1
62.3
60.7
60.1
59.0
56.9
56.3
55.7
53.2
50.6
48.8
46.8
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.492
-54.8
0.297
-66.2
0.219
-71.4
0.183
-75.3
0.168
-80.1
0.158
-85.0
0.156
-89.3
0.154
-94.0
0.157
-98.3
0.157
-101.4
0.167
-104.8
0.172
-108.7
0.180
-111.6
0.183
-115.9
0.184
-118.5
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.447
-140.1
400
0.460
-165.5
600
0.467
-177.5
800
0.473
174.3
1000
0.478
167.7
1200
0.484
161.8
1400
0.490
156.6
1600
0.492
151.9
1800
0.499
147.4
2000
0.504
142.4
2200
0.501
139.3
2400
0.509
135.3
2600
0.511
131.0
2800
0.521
127.3
3000
0.527
124.2
S21E
MAG 。
角
20.11
108.5
10.77
93.6
7.30
85.3
5.53
79.2
4.44
73.9
3.72
68.8
3.21
64.1
2.83
59.8
2.53
55.6
2.30
51.3
2.10
47.9
1.94
43.8
1.81
39.9
1.70
36.4
1.60
33.1
MAG 。
0.028
0.043
0.062
0.079
0.096
0.112
0.128
0.148
0.163
0.177
0.195
0.210
0.225
0.238
0.255
S12E
角
59.4
65.0
67.1
66.6
66.4
64.5
63.7
61.9
59.3
57.6
57.0
54.7
51.5
49.9
47.5
S22E
MAG
角
0.376
-60.8
0.221
-69.4
0.166
-74.5
0.141
-78.2
0.130
-84.2
0.127
-89.1
0.127
-93.9
0.128
-98.7
0.134
-103.4
0.138
-106.8
0.151
-109.4
0.151
-113.5
0.160
-115.6
0.164
-119.3
0.170
-123.7
规格如有变更，恕不另行通知
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