低电流8伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T682535 ）
功率降额曲线
300
MP 4 T 6 8 2 5 0 0 （ CHIP ） ONINFINITEHEATSINK
功耗（MW ）
MP4T6825系列
噪声系数和相关的增益在
VCE = 8 V ， 1 GHz的VS集电极电流
20
18
相关的增益（分贝）
250
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
200
150
100
50
0
0
M P4T682533 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
噪声系数（dB ）
M P4T 682535
（M I C R 0 -X ）
一个SS Ø C I AT E D G A IN
N 2 O为E F I摹ü ř Ë
1 00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü ř E（ C）
增益与频率的VCE = 8 V和IC =
5毫安
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0 .3 5
0.3
0 .2 5
0.2
0 .1 5
0.1
0 .0 5
0
25
20
GT U（ M A X）
增益（dB ）
15
10
5
0
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
|S
21 E
|
2
1
10
集热-B AS EVOLTAGE （V Ò LTS ）
1 00
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 8 V
10
9
增益带宽（千兆赫）
8
增益（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
1
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
增益与集电极电流为1
GHz时， VCE = 8 V
22
20
18
16
14
12
10
8
6
1
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
M股份公司
克叔û （M AX ）
|S
2 1 E
|
2
规格如有变更，恕不另行通知
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5
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