低电流8伏，低噪声高fT的硅晶体管
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
TEST
条件
s
V
CE
= 8V
I
C
= 8毫安
V
CE
= 8V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8V
I
C
= 2毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8V
I
C
= 15毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
结/
环境
（自由空气）
结/
例
单位
GHz的
dB
15典型。
8典型。
dB
1.8 MAX 。
2.1典型。
dB
17典型。
11典型。
dB
18典型。
13典型。
DBM
15典型。
13.5典型。
70最大。
1
MP4T6825系列
MP4T682535
微-X
8典型。
MP4T682539
SOT-143
8典型。
MP4T682500
芯片
8典型。
MP4T682533
SOT-23
8典型。
14典型。
7典型。
1.9 MAX 。
2.2典型。
16典型。
10 TYP 。
17典型。
12 TYP 。
14典型。
12.5典型。
650典型。
200典型。
15典型。
8分钟。
1.8 MAX 。
2.1典型。
17典型。
11典型。
18典型。
13典型。
14典型。
12.5典型。
500典型。
200典型。
14典型。
7典型。
1.9 MAX 。
2.2典型。
16典型。
10 TYP 。
17典型。
12 TYP 。
15典型。
13.5典型。
625典型。
200典型。
NF
GTU （MAX）中
单向增益
MAG
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
热
阻力
P
1dB
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
1.
°C
° C / W
结到无限大的散热器。
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极 - 基
结电容
条件
V
CB
= 8 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 8 V
I
C
= 5毫安
V
CB
= 8 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
30
典型值。
110
0.25
马克斯。
100
1
250
0.40
单位
nA
µA
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
