硅双极高F
T
低噪声微波晶体管
MP4T645系列
典型性能曲线(续“
d)
标称增益带宽积VS
集电极电流( MP4T64535 )
20
直流电流增益(H
FE
)
额定直流电流增益VS集热器
目前在V
CE
= 8伏( MP4T64535 )
1000
增益带宽
产物(六
T
) (千兆赫)
100
2
1
10
集电极电流(毫安)
100
10
1
10
集电极电流(毫安)
100
标称噪声系数和相关
增益与频率在V
CE
= 8伏,
集电极电流= 7毫安( MP4T64535 )
100
噪音
相关
系数(dB )
增益(dB )
噪音
相关
系数(dB )
增益(dB )
13
11
9
7
5
标称噪声系数和相关的增益
VS集电极电流在f = 1 GHz和V
CE
=
8伏( MP4T64535 )
相关的增益
相关的增益
10
噪声系数
50 OHM噪声系数
3
1
最佳匹配的噪声系数
1
0.1
1
频率(GHz )
10
0
5
10
15
集电极电流(毫安)
20
规格如有变更,恕不另行通知
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6
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