硅双极高的fT低噪声微波晶体管
MP4T645系列
典型性能曲线
MP4T645系列
额定功率降额曲线
500
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度（ C）
MP4T64533在
SOT- 23封装
MP4T64535在
微-X包
标称集电极 - 基极电容VS
集电极 - 基极电压（ MP4T64535 ）
0.6
集电极 - 基
电容（C
CB
）（ pF）的
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
1
10
集电极 - 基极电压
(V
CB
） （伏）
100
450
总功率
耗散（ mW）的
MP4T64500芯片上
无限大的散热器
标称增益与频率的
V
CE
= 8伏，我
C
= 10 MA（ MP4T64535 ）
24
20
增益（dB ）
16
GTU （MAX）中
12
8
|S
21E
|2
4
0
1
2
频率（GHz ）
5
10
增益（dB ）
标称增益VS集电极电流为
F = 1.5千兆赫，V
CE
= 8伏（ MP4T64535 ）
15
14
13
12
11
10
GTU （MAX）中
MAG
9
8
7
6
1
10
集电极电流（毫安）
100
|S
21E
|2
规格如有变更，恕不另行通知
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5
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