双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
在微-X封装典型散射参数（续“
d)
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 40毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.675
0.692
0.707
0.719
0.749
0.763
S11E
角
164
143
121
104
86
66
MAG 。
2.678
1.528
1.230
1.095
1.035
1.017
S21E
角
73.3
54.1
37.7
20.8
6.5
-7.8
MAG 。
0.139
0.244
0.368
0.463
0.537
0.629
S12E
角
66.2
55.0
45.9
31.5
20.4
8.4
MP4T3243系列
V4.00
S22E
MAG
0.424
0.470
0.455
0.481
0.504
0.523
角
176.6
158.6
141.6
128.1
113.3
99.2
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 60毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.685
0.698
0.719
0.727
0.754
0.767
S11E
角
164
143
122
104
86
67
MAG 。
2.678
1.528
1.245
1.103
1.045
1.025
S21E
角
73.1
54.2
37.7
20.7
6.5
-7.9
MAG 。
0.140
0.251
0.380
0.474
0.549
0.641
S12E
角
68.1
56.1
45.6
31.0
19.8
7.4
MAG
0.446
0.492
0.480
0.502
0.520
0.540
S22E
角
173.9
156.8
139.4
125.4
110.6
96.0
典型性能曲线
DC安全操作范围在25°
c
总功率耗散（ mW）的
额定功率降额曲线
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-25
200
集电极电流（毫安）
110
100
80
50
MP4T324300 CHIP
打开25 ° HEAT SINK
C
MP4T324300 CHIP
打开25 ° HEAT SINK
C
MP4T324335 MICRO -X
MP4T324335 MICRO -X
20
MP4T324333 SOT- 23
10
0
2
4
集电极 - 发射极电压（伏）
6
MP4T324333 SOT- 23
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ C）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
4
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
