双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
最大额定值
MP4T324300
参数
集电极 - 基极电压
1
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
结温
储存温度
功耗
1,3
工作温度
1.
2.
3.
2
1
1
MP4T3243系列
V4.00
MP4T324333
SOT-23
8
6
1.5
110
125
-65到+ 125 °
C
250
125
MP4T324335
微-X
8
6
1.5
110
200
-65到+ 175 °
C
400
150
符号
V
CBO
V
CE
V
EB
I
C
T
j
T
英镑
P
T
T
CP
单位
伏
伏
伏
mA
°
C
°
C
mW
°
C
芯片
8
6
1.5
110
200
-65到+ 175 °
C
600
150
在25℃的外壳温度（封装晶体管）或25 °安装面温度（芯片晶体管） 。
C
C
案例或粘接的表面温度。线性降额最大功耗额定值以最高工作温度零瓦。
该MP4T324300结/壳体的热阻为50℃
C /瓦标称。
电气规格@ + 25 °
C
MP4T324300
参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
= 3伏
I
C
= 50毫安
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
噪声系数
V
CE
= 3伏
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
单向增益
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
最大可用增益
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 2 GHz的
电源输出的1分贝
压缩
V
CE
= 3伏
I
C
= 50毫安
F = 2 GHz的
F = 3 GHz的
20 （典型值）
典型值15
典型值19
典型值15
20 （典型值）
典型值15
P
1dB
DBM
8.5 （典型值）
7 TYP
8.5 （典型值）
MAG
dB
10 TYP
6 TYP
9典型值
4 ，典型值
10 TYP
6 TYP
GTU （MAX）中
dB
2.2最大
2.4最大
2.2最大
NF
dB
7分钟
3 ，典型值
6分钟
2.5 （典型值）
7分钟
3 ，典型值
|S
21E
|
2
dB
符号
f
T
单位
GHz的
芯片
6 TYP
MP4T324333
SOT-23
6 TYP
MP4T324335
微-X
6 TYP
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
