欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V62C1161024L-70T 参数 Datasheet PDF下载

V62C1161024L-70T图片预览
型号: V62C1161024L-70T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 121 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V62C1161024L-70T的Datasheet PDF文件第9页  
V62C1161024L(L)
读周期1的时序波形
(地址控制)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
t
AA
数据有效
以前的数据有效
读周期2时序波形
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
t
LZ(4,5)
t
BA
t
BLZ(4,5)
t
OE
高-Z
t
OLZ
t
HZ(3,4,5)
t
BHZ(3,4,5)
( BLE / BHE )
t
OHZ
t
OH
数据有效
OE
数据输出
笔记
(读周期)
1.我们的高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.
t
HZ
t
OHZ
被定义为在所述输出达到参考V开路状态的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件
t
HZ
(最大)小于
t
LZ
(分钟)都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转变是从稳态电压与负载测量+ 200mV的。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
6.设备,不间断地与CE = V选择
IL
.
7.地址有效之前,暗合了CE过渡低。
8.对于通用I / O的应用,尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读取和写入
周期。
9.对于测试环境,请见
AC测试条件,
图A.
5
修订版1.1
四月
2001年V62C1161024L ( L)